蚀刻机和光刻机的区别是什么（蚀刻机和光刻机区别）

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1、 蚀刻比光刻容易。

2、 印刷光刻机图案，然后蚀刻机根据印刷的图案蚀刻图案化(或非图案化)的部分，剩下的部分。

3、 “光刻是指用预先制作好的光掩模覆盖在覆盖有光刻胶的晶片(或硅片)上，然后通过光掩模用紫外线照射晶片一定时间。

4、 原理是利用紫外线使部分光刻胶变质，容易腐蚀。

5、 “蚀刻就是光刻，之后用蚀刻液将变质的光刻胶蚀刻掉(正胶)，半导体器件及其连接就显现在晶片表面了。

6、 然后使用另一种蚀刻溶液蚀刻晶片以形成半导体器件及其电路。

7、 蚀刻有两种，一种是干法蚀刻，一种是湿法蚀刻(目前主流)。顾名思义，湿法刻蚀就是在工艺中加入水，刻蚀后的晶圆与特定的化学溶液发生反应，去除不需要的部分，剩下的就是电路结构了。干法刻蚀尚未实现商业化量产，其原理是用等离子体代替化学溶液，去除不必要的硅圈。

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